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线路设计用掌握单向可控硅触发电流控制特性

        
      单向可控硅基本使用,当其外加正向电压时,它处于正向阻断状态,如果不断的提高外加电压值,当外加正向电压大于单向可控硅的断态重复峰值电压(VDRM),达到转折电压VBO时(VDRM≥800*Vth),单向可控硅会导通。如果外加正向电压小于VDRM,但又希望单向可控硅正向导通,我们只需要在单向可控硅的G极施加很小的正向门极电流(正向触发脉冲),当施加的正向门极电流大于单向可控硅的触发电流(IGT)时,单向可控硅即可导通。即我们可以通过对G极施加正向电流来控制单向可控硅的正向导通。此时,如果阳极电流大于单向可控硅的擎住电流(IL),我们撤去正向门极电流,单向可控硅依然可以处于导通状态,只有当阳极电流小于单向可控硅的维持电流(IH)时,单向可控硅才会关断。上述单向可控硅的工作原理我们称之为触发控制特性。
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